闸极介电层
- 网络gate dielectric; gate dielectrics; Hafnium oxynitride gate dielectric high-k Hafnium oxide
闸极介电层闸极介电层
gate dielectric
闸极介电层(Gate Dielectric)(一)传统氧化层的极限 闸极介电层厚度缩小主要的目的，在於提高元件驱动能力（因为汲极输出电 …
gate dielectrics
到目前为止的问题都还是很类似，也就是：当电晶体微缩时，它们就需要薄还要更薄的闸极介电层(gate dielectrics)。而在使用 …
Hafnium oxynitride gate dielectric high-k Hafnium oxide
... 吕政学 Cheng-Hsueh Lu 高介电常数 闸极介电层 氧化铪 氮氧化铪 Hafnium oxynitride gate dielectric high-k Hafnium oxide ...
Gate DielectricLayer
本发明系为一种制作闸极介电层(Gate DielectricLayer)之方法,特别是有关於利用氧原子及氢氧基的再氧化制作闸极介电层与矽 …